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N溝道MOS管飽和區(qū),邏輯門(mén)電路詳解
2022-11-19
N溝道MOS管飽和區(qū),邏輯門(mén)電路詳解導(dǎo)電溝道機(jī)理：如果外部不加控制電壓就有導(dǎo)電溝道的是耗盡型。如果需要外部加控制電壓才有導(dǎo)電溝道的是增
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共源級(jí)MOS管飽和區(qū)小信號(hào)增益解析
2022-11-19
共源級(jí)MOS管飽和區(qū)小信號(hào)增益解析作為放大器，其最重要的功能就是在大信號(hào)的支持下且保證一定精度時(shí)強(qiáng)調(diào)對(duì)小信號(hào)的增益。本文介紹一個(gè)公式
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MOS管,利用MOS管降低供電電壓介紹
2022-11-19
MOS管,利用MOS管降低供電電壓介紹如何降低供電電壓下面電路就是利用一顆N溝道MOS管來(lái)實(shí)現(xiàn)上電瞬間輸出高電壓，核心板啟動(dòng)之后，輸出低電壓
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MOSFET測(cè)試,什么是雙脈沖測(cè)試解析
2022-11-18
MOSFET測(cè)試,什么是雙脈沖測(cè)試解析通過(guò)雙脈沖測(cè)試來(lái)評(píng)估MOSFET體二極管的反向恢復(fù)特性，并確認(rèn)MOSFET損耗情況。MOSFET體二極管的反向恢復(fù)特
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雙脈沖測(cè)試電路原理及波形示意圖介紹
2022-11-18
雙脈沖測(cè)試電路原理及波形示意圖介紹功率器件的很多動(dòng)態(tài)參數(shù)可以從器件的數(shù)據(jù)手冊(cè)中獲取，但是器件手冊(cè)只給出特定測(cè)試條件下的動(dòng)態(tài)參數(shù)。當(dāng)
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MOSFET失效模式,dv/dt失效是什么
2022-11-18
MOSFET失效模式,dv dt失效是什么dv dt失效是MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過(guò)基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通而引起短路從而造
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dV/dt對(duì)MOSFET動(dòng)態(tài)性能的影響介紹
2022-11-17
dV dt對(duì)MOSFET動(dòng)態(tài)性能的影響介紹MOSFET的dv dt是指開(kāi)關(guān)瞬態(tài)過(guò)程中漏極－源極電壓的變化率。如果dv dt太大，可能發(fā)生振鈴，進(jìn)而可能導(dǎo)致MOS
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MOSFET di/dt與dv/dt分開(kāi)控制方法介紹
2022-11-17
MOSFET di dt與dv dt分開(kāi)控制方法介紹功率 MOSFET 的開(kāi)關(guān)過(guò)程功率 MOSFET 的開(kāi)通過(guò)程中可以分為 4 個(gè)階段，關(guān)斷過(guò)程的基本原理和開(kāi)
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米勒效應(yīng)對(duì)MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程有什么影響嗎
2022-11-17
米勒效應(yīng)對(duì)MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程有什么影響嗎下面以圖10中電機(jī)控制電路來(lái)說(shuō)明米勒效應(yīng)對(duì)MOSFET開(kāi)通關(guān)斷過(guò)程的影響。在圖10控制電路中，上管導(dǎo)通時(shí)
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MOS管選型,MOSFET應(yīng)用方案解析
2022-11-16
MOS管選型,MOSFET應(yīng)用方案解析MOSFET應(yīng)用案例解析1、開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用從定義上而言，這種應(yīng)用需要MOSFET定期導(dǎo)通和關(guān)斷。同時(shí)，有數(shù)十種拓?fù)淇?
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MOSFET的門(mén)源極并聯(lián)電容介紹
2022-11-16
MOSFET的門(mén)源極并聯(lián)電容介紹MOSFET門(mén)源極并聯(lián)電容后，開(kāi)關(guān)可靠性得到提升開(kāi)關(guān)電路如下圖：電路解釋1 該電路用于高邊開(kāi)關(guān)，當(dāng)MOS_ON 網(wǎng)絡(luò)拉
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電路設(shè)計(jì),過(guò)熱保護(hù)電路圖介紹
2022-11-16
電路設(shè)計(jì),過(guò)熱保護(hù)電路圖介紹過(guò)熱保護(hù)電路圖（一）原理電路是以電機(jī)過(guò)熱保護(hù)為例，由PTC熱敏電阻和施密特電路構(gòu)成的控制電路。圖中，RT1、R