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  • MOSFET的門源極并聯電容介紹
    • 發(fā)布時間:2022-11-16 18:38:10
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    MOSFET的門源極并聯電容介紹
    MOSFET門源極并聯電容后,開關可靠性得到提升
    開關電路如下圖:
    MOSFET 并聯 電容
    電路解釋
    1.該電路用于高邊開關,當MOS_ON 網絡拉低到地時,開關Q1導通;
    2.電路中D3作用為鉗位Q1門源電壓在12V左右,以保護Q1;
    3.C2作用為濾除MOS_ON上的干擾以及延緩Q1上下電時間,如下圖:分別為添加電容和不添加電容Q1門極電壓變化情況。
    MOSFET 并聯 電容
    MOSFET 并聯 電容
    MOSFET 并聯 電容
    MOSFET 并聯 電容
    結論:通過在開關g s 并聯電容,可以有效提升開關mosfet抗干擾能力,尤其在mosfet需要通過外部按鍵使能的應用,另外并聯的電容可以有效濾除由于控制抖動導致的電源開關關斷。
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