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深圳市烜芯微科技有限公司
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解析開(kāi)機(jī)延遲電路,MOS管多少V才能開(kāi)啟
2023-05-20
解析開(kāi)機(jī)延遲電路,MOS管多少V才能開(kāi)啟本電路由1顆MOS管、4只電阻、發(fā)光二極管、電池組成當(dāng)SW1沒(méi)有按下去的時(shí)候Q1柵極電壓為0V，Q1為截止?fàn)?
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負(fù)載開(kāi)關(guān),延時(shí)電路圖文解析
2023-05-20
負(fù)載開(kāi)關(guān),延時(shí)電路圖文解析延時(shí)電路延時(shí)電路一般用在對(duì)于上電時(shí)序有要求的電路以及負(fù)載開(kāi)始（上電時(shí)）較大的電路而言。負(fù)載重例如較大的電
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電路設(shè)計(jì),模擬電路實(shí)現(xiàn)延時(shí)功能介紹
2023-05-19
電路設(shè)計(jì),模擬電路實(shí)現(xiàn)延時(shí)功能介紹模擬電路實(shí)現(xiàn)延時(shí)功能實(shí)現(xiàn)方式如下圖：一個(gè)電阻與一個(gè)穩(wěn)壓二極管相連，然后一個(gè)電容在它們連接處與它們
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電源管理,延遲上電設(shè)計(jì)介紹
2023-05-19
電源管理,延遲上電設(shè)計(jì)介紹上電順序電路中，不同的器件常常需要有不同的上電順序，比如有些FPGA需要先給3 3V的內(nèi)核供電，至少20ms后才給5V
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開(kāi)關(guān)瞬態(tài)階段SiC MOSFET建模解析
2023-05-19
開(kāi)關(guān)瞬態(tài)階段SiC MOSFET建模解析開(kāi)關(guān)瞬態(tài)分析建模圖 1 顯示了處于開(kāi)關(guān)瞬態(tài)階段的 SiC MOSFET 建模過(guò)程，該過(guò)程基于電感鉗位電路，該
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MOSFET放大器的等效模型,工作區(qū)間,偏置介紹
2023-05-18
MOSFET放大器的等效模型,工作區(qū)間,偏置介紹MOSFET放大器信號(hào)放大為何放大：信號(hào)電壓太小，不易察覺(jué)信號(hào)功率太小，不能驅(qū)動(dòng)負(fù)載傳輸過(guò)程中信
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TOLL封裝布局縮減30% 80V/240A XXW1808A
2023-05-18
TOLL封裝布局縮減30% 80V 240A XXW1808A烜芯微近期推出了幾款采用 TOLL 封裝的 NMOS 產(chǎn)品。相比 TO-263-6L，TOLL占板面積縮小30％，
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射頻功率放大器調(diào)試步驟介紹
2023-05-18
射頻功率放大器調(diào)試步驟介紹射頻功放調(diào)試的步驟一般是由以下幾步構(gòu)成：STEP 1 確定芯片是否損壞這一步主要是確定板子和管子的基本狀態(tài)是
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大信號(hào)與小信號(hào)的區(qū)別與關(guān)系解析
2023-05-17
大信號(hào)與小信號(hào)的區(qū)別與關(guān)系解析下圖給出了MOS idvg idvd的圖形，可以得出不同偏置電壓情況下器件的趨勢(shì)，以及偏微分之后GmRout的電學(xué)特
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運(yùn)放的信號(hào)增益與噪聲增益詳解
2023-05-17
運(yùn)放的信號(hào)增益與噪聲增益詳解下面通過(guò)電路仔細(xì)分析一下噪聲增益：兩個(gè)開(kāi)關(guān)都撥到上面的時(shí)候稱為CASE1，都撥到下面的時(shí)候稱為CASE2。這也就
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共源共柵級(jí)的小信號(hào)增益,放大過(guò)程介紹
2023-05-17
共源共柵級(jí)的小信號(hào)增益,放大過(guò)程介紹共源共柵級(jí)的小信號(hào)增益共源共柵級(jí)的結(jié)構(gòu)如上圖所示，忽略溝長(zhǎng)調(diào)制效應(yīng)，得到小信號(hào)等效圖如下圖所示
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判斷MOS管共源極放大器,共柵極放大器介紹
2023-05-16
判斷MOS管共源極放大器,共柵極放大器介紹最簡(jiǎn)單的方法是，總共源，漏和柵三端，輸入接一個(gè)端，輸出接一個(gè)端，剩下的那個(gè)端是什么就是共什么