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小功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案與驅(qū)動(dòng)IC的選擇介紹
2022-04-02
小功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案與驅(qū)動(dòng)IC的選擇介紹電機(jī)驅(qū)動(dòng)作為工業(yè)中工廠自動(dòng)化整個(gè)閉環(huán)中的執(zhí)行器環(huán)節(jié)，其性能好壞直接影響到整個(gè)閉環(huán)的性能。因此，
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MOSFET,電源開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)怎么選擇最優(yōu)MOSFET
2022-04-02
MOSFET,電源開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)怎么選擇最優(yōu)MOSFETMOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）主要用于開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，具有高電壓和高電流的特點(diǎn)。它們具有
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運(yùn)算放大器中(軌到軌)的作用詳解
2022-04-02
運(yùn)算放大器中(軌到軌)的作用詳解設(shè)計(jì)放大電路時(shí)，隨著信號(hào)的幅度的增大，輸出信號(hào)逐漸增大。但會(huì)遇到下面兩種情況：1）當(dāng)輸出信號(hào)增大到一
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功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)電感性負(fù)載解析
2022-04-01
功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)電感性負(fù)載解析本文介紹了采用表面貼裝封裝設(shè)計(jì)LITTLEFOOT?功率MOSFET的過(guò)程。它描述了功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)電感性負(fù)載，公共
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SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)圖文解析
2022-04-01
SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)圖文解析20 世紀(jì)90 年代以來(lái)，碳化硅(silicon carbide，SiC)MOSFET 技術(shù)的迅速發(fā)展，引起人們對(duì)這種新一代功率器
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SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路與Turn-onTurn-off動(dòng)作
2022-04-01
SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路與Turn-onTurn-off動(dòng)作SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動(dòng)電路LS（低邊）側(cè)SiC MOSFET Turn-on和Turn-off時(shí)的VDS和ID
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電阻最大電壓怎么計(jì)算,兩種計(jì)算方法介紹
2022-03-31
電阻最大電壓怎么計(jì)算,兩種計(jì)算方法介紹導(dǎo)體對(duì)電流的阻礙作用就叫該導(dǎo)體的電阻。電阻（Resistor，通常用R表示）是一個(gè)物理量，在物理學(xué)中表
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運(yùn)算放大器,運(yùn)算放大器線性應(yīng)用的重點(diǎn)知識(shí)詳解
2022-03-31
運(yùn)算放大器,運(yùn)算放大器線性應(yīng)用的重點(diǎn)知識(shí)詳解集成運(yùn)算放大器是采用一定制造工藝將大量半導(dǎo)體三級(jí)管、電阻、電容等元件以及它們之間的連線
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功放電路,功放電路圖文介紹
2022-03-31
功放電路,功放電路圖文介紹功放，顧名思義，就是功率放大的縮寫(xiě)。與電壓或者電流放大來(lái)說(shuō)，功放要求獲得一定的、不失真的功率，一般在大信
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延時(shí)電路,幾種延時(shí)電路原理詳解
2022-03-30
延時(shí)電路,幾種延時(shí)電路原理詳解1、 精確長(zhǎng)延時(shí)電路圖該電路由CD4060 組成定時(shí)器的時(shí)基電路，由電路產(chǎn)生的定時(shí)時(shí)基脈沖，通過(guò)內(nèi)部分頻器分
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尖峰電流和PCB布局時(shí)的去耦電容解析
2022-03-30
尖峰電流和PCB布局時(shí)的去耦電容解析尖峰電流的形成：數(shù)字電路輸出高電平時(shí)從電源拉出的電流Ioh和低電平輸出時(shí)灌入的電流Iol的大小一般是不
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半導(dǎo)體元器件過(guò)電應(yīng)力失效圖文解析
2022-03-30
半導(dǎo)體元器件過(guò)電應(yīng)力失效圖文解析半導(dǎo)體元器件在整機(jī)應(yīng)用端的失效主要為各種過(guò)應(yīng)力導(dǎo)致的失效，器件的過(guò)應(yīng)力主要包括工作環(huán)境的緩變或者突