MOS 管計(jì)算導(dǎo)通損耗時(shí)，應(yīng)該用平均電流IAVG還是用電流有效IRMS值呢？
先定義下相關(guān)參數(shù)，以便于后續(xù)的計(jì)算．
IO -------------輸出電流
IH-AVG-----------上MOS 管平均電流
IL-AVG ---------下MOS 管平均電流
IRMS(H) --------上MOS 管電流有效值
IRMS(L) -----------下MOS 管電流有效值
D ------------------上MOS 管占空比
ΔI --------------電感紋波電流
RON-H ---------上MOS 管導(dǎo)通電阻
RON-L ---------下MOS 管導(dǎo)通電阻
PON-H ---------上MOS 管導(dǎo)通損耗
PON-L ---------下MOS 管導(dǎo)通損耗
計(jì)算方法１： 基于平均電流
計(jì)算方法２： 基于電流有效值
下面是關(guān)于有效值和平均值的對(duì)比數(shù)據(jù)，可以直觀的看出有效值比平均值大出很多．
所以?xún)煞N方法計(jì)算出來(lái)的導(dǎo)通損耗也會(huì)差別很大，那么哪種方式是正確的呢？
MOS 管導(dǎo)通時(shí)，等效為一個(gè)電阻RDS(ON), 計(jì)算損耗時(shí)是通過(guò)積分來(lái)計(jì)算的，應(yīng)該用有效值來(lái)計(jì)算。
由此可見(jiàn)，I 為有效值的計(jì)算公式, 所以計(jì)算時(shí)應(yīng)用電流有效值來(lái)計(jì)算MOS管的導(dǎo)通損耗．
那么什么時(shí)候可以用平均電流來(lái)計(jì)算損耗呢？
其實(shí)輸出整流二極管，MOS體二極管的導(dǎo)通損耗，則是用均值來(lái)計(jì)算的．
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