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二極管、三極管、MOS管、橋堆

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  • 三級管與MOS管的區(qū)別,圖文介紹
    • 發(fā)布時間:2024-04-09 19:46:22
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    三級管與MOS管的區(qū)別,圖文介紹
    三級管簡介
    三極管是一種控制電流的半導體器件。其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號,也用作無觸點開關。
    三極管是半導體基本元器件之一,具有電流放大作用,是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導體基片上制作兩個相距很近的PN結,兩個PN結把整塊半導體分成三部分,中間部分是基區(qū),兩側部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū),排列方式有PNP和NPN兩種。
    三級管,MOS管,區(qū)別
    晶體三極管按材料分有兩種:鍺管和硅管。而每一種又有NPN和PNP兩種結構形式,但使用最多的是硅NPN和鍺PNP兩種三極管,(其中,N是負電荷的意思(代表英文中Negative),N型半導體在高純度硅中加入磷取代一些硅原子,在電壓刺激下產生自由電子導電,而P是正電荷的意思(Positive)是加入硼取代硅,產生大量空穴利于導電)。
    MOS管簡介
    mos管是金屬(metal)氧化物(oxide)半導體(semiconductor)場效應晶體管,或者稱是金屬絕緣體(insulator)半導體。
    三級管,MOS管,區(qū)別
    MOS場效應管一般有耗盡型和增強型兩種。增強型MOS場效應管可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱為N溝道型,PNP型也叫P溝道型。對于N溝道的場效應管其源極和漏極接在N型半導體上,同樣對于P溝道的場效應管其源極和漏極則接在P型半導體上。
    場效應管的輸出電流是由輸入的電壓(或稱電場)控制,可以認為輸入電流極小或沒有輸入電流,這使得該器件有很高的輸入阻抗,同時這也是我們稱之為場效應管的原因。
    三級管和MOS管的區(qū)別
    三級管,MOS管,區(qū)別
    三級管和MOS管的結構不同,mos管的柵線是用絕緣層和金屬網格構成的;而三極管是直接用硅片上的pn結把兩個電極連接起來。
    控制的區(qū)別:三極管是電流驅動的,較低的電壓就可以驅動三極管,但是三極管需要較大的控制電流; 而MOS管是電壓驅動的,驅動電壓較高,但是驅動的功率小。
    功耗區(qū)別:三極管在放大信號時損耗較大,MOS管電壓控制,在開關應用中具有較低的導通電阻和功耗。
    驅動能力:MOS管常用于大電流和高電壓的開關應用,而三極管則適用于小電流和低電壓的信號放大。
    成本:三極管通常比MOS管便宜,因此更適用于分立元件電路和中、小規(guī)模集成電路。
    溫度特性:MOS管具有較好的溫度穩(wěn)定性和抗干擾能力。
    應用方面:三極管主要用于放大信號,而MOS管則廣泛應用于高速、低功耗的數(shù)字電路和電源開關。
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