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二極管、三極管、MOS管、橋堆

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    • 發(fā)布時(shí)間:2023-02-22 16:35:24
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    GBJ1004整流橋,GBJ1004整流橋參數(shù),GBJ1004規(guī)格書(shū)封裝PDF
    GBJ1004整流橋10A 400V,GBJ1004封裝為GBJ/4KBJ,GBJ1004整流橋參數(shù),GBJ1004規(guī)格書(shū)封裝
    GBJ1004
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    GBJ1004整流橋參數(shù)具體如下:
    GBJ1004
    Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM最大重復(fù)峰值反向電壓:400V
    Maximum DC blocking voltage VDC最大直流阻斷電壓:400V
    Maximum average forward rectified current IF(AV) 最大平均正向整流電流:10A
    Maximum instantaneous forward voltage drop per diode IFM=10A  VF 10A時(shí)最大瞬時(shí)正向,每個(gè)二極管的壓降:1.0V
    Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode IRRM VRM=VRRM 最大直流反向電流,每個(gè)二極管的額定直流阻斷電壓:5uA
    Operating temperature range TJ 工作溫度范圍:-55 to +150°C
    storage temperature range TSTG 儲(chǔ)存溫度范圍:-55 to +150°C
    GBJ1004整流橋堆封裝,4GBJ/4KBJ封裝尺寸:
    GBJ1004
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