MOS管與三極管，它們就仿佛是電子產(chǎn)品的保護(hù)傘一般，一直保護(hù)著電子產(chǎn)品不受靜電的侵害，可是一直在電子市場(chǎng)有一個(gè)疑問(wèn)，那就是MOS管與三極管它們兩者之間到底有何區(qū)別，看完下文，相信你就會(huì)恍然大悟，牢記于心。
MOS管是電壓控制電流源,控制電壓和電流屬于不同的支路,因而電壓的求解一般不難,進(jìn)而根據(jù)漏極電流表達(dá)式來(lái)求出電流值,然后進(jìn)行模型分析,求出跨導(dǎo)和輸出電阻. 而三極管要先建立模型,然后進(jìn)行電路分析,求解過(guò)程特別是計(jì)算很復(fù)雜,容易出錯(cuò); 總體而言,我覺(jué)得MOS管的分析要比三極管簡(jiǎn)單一些.
三極管和MOS管的不同之處：
一、在三極管中,空穴和自由電子都參與導(dǎo)電,稱(chēng)為雙極型器件,用BJT表示;而MOS管只有多子導(dǎo)電,稱(chēng)為單極型器件,用FET表示.由于多子濃度不受外界溫度、光照、輻射的影響,在環(huán)境變化劇烈的條件下,選用FET比較合適. 這也就是我們通常所說(shuō)的MOS管比較穩(wěn)定的原因.
二、在放大狀態(tài)工作時(shí),三極管發(fā)射結(jié)正偏,有基極電流,為電流控制器件,相應(yīng)的輸入電阻較小,約103Ω;FET在放大狀態(tài)工作時(shí)無(wú)柵極電流,為電壓控制器件,輸入電阻很大,JFET的輸入電阻大于107Ω,MOS管的輸入電阻大于109Ω.
三、MOS管的源極和漏極在結(jié)構(gòu)上對(duì)稱(chēng),可以互換使用(但應(yīng)注意,有時(shí)廠(chǎng)家已將MOS管的源極與襯底在管內(nèi)已經(jīng)短接,使用時(shí)就不能互換).對(duì)耗盡型MOS管的VGS可正、可負(fù)、可為零,使用時(shí)比較靈活.三極管的集電極和發(fā)射極一般不能互換使用.
四、在低電壓小電流狀態(tài)下工作時(shí),FET可作為壓控可變線(xiàn)性電阻器和導(dǎo)通電阻很小的無(wú)觸點(diǎn)電子開(kāi)關(guān).
五、MOS管工藝簡(jiǎn)單,功耗小,適合于大規(guī)模集成.三極管的增益高,非線(xiàn)性失真小,性能穩(wěn)定.在分立元件電路和中、小規(guī)模集成電路中,三極管仍占優(yōu)勢(shì).
六、三極管的轉(zhuǎn)移特性(ic-vbe的關(guān)系)按指數(shù)規(guī)律變化,場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性按平方規(guī)律變化,因此MOS管的非線(xiàn)性失真比三極管的非線(xiàn)性失真大.
七、MOS管的三種基本組態(tài)電路(共源、共漏和共柵)可以對(duì)照三極管的共發(fā)、共集和共基電路,由于場(chǎng)效應(yīng)管的柵極無(wú)電流,所以輸入電阻R'i≈∞.跨導(dǎo)gm比三極管的小一個(gè)數(shù)量級(jí),gm我們可以用轉(zhuǎn)移特性求導(dǎo)得到
八、三極管可以說(shuō)是電流控制電流源的器件,而電流是通過(guò)輸入電阻的大小來(lái)體現(xiàn)的;但MOS管是電壓控制電流源的器件
九、記住四種mos管的特性曲線(xiàn)的方法:只需記住n溝道的emos管的曲線(xiàn),它的Vgs是大于0的,且曲線(xiàn)呈遞增趨勢(shì)．而p溝道的emos的Vgs是小于0的,且呈現(xiàn)遞減趨勢(shì)．dmos的Vgs既有大于0的部分,又有小于0的部分,按照n溝道遞增,p溝道遞減的曲線(xiàn)特征就可以將dmos的特性曲線(xiàn)記住了
十、MOS管是電壓控制元件,而三級(jí)管是電流控制元件; MOS管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱(chēng)為單極性器件,而三級(jí)管既有多子,也有少子導(dǎo)電,稱(chēng)之為雙極性器件; MOS管靈活性比三級(jí)管好; MOS管的制造工藝更適合于集成電路 。
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