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  • 50n06參數(shù)中文 50N06 50A60V 中文資料介紹
    • 發(fā)布時間:2020-11-19 16:24:08
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    50n06參數(shù)中文 50N06 50A60V 中文資料介紹
    一、50N06參數(shù)中文
    產品特征:
    RDS(on) =10.5m@ VGS =10V
    提供無鉛綠色設備
    低Rds開啟,最大限度地減少導電損
    高雪崩電流
    二、50n06參數(shù)中文
    產品用應:
    電源
    不間斷電源
    電池管理系統(tǒng)
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    Mosfet參數(shù)含義說明-50n06參數(shù)中文
    Vds:DS擊穿電壓.當Vgs=0V時,MOS的DS所能承受的最大電壓
    Rds(on):DS的導通電阻.當Vgs=10V時,MOS的DS之間的電阻
    Id:最大DS電流.會隨溫度的升高而降低
    Vgs:最大GS電壓.一般為:-20V~+20V
    Idm:最大脈沖DS電流.會隨溫度的升高而降低,體現(xiàn)一個抗沖擊能力,跟脈沖時間也有關系
    Pd:最大耗散功率
    Tj:最大工作結溫,通常為150度和175度
    Tstg:最大存儲溫度
    Iar:雪崩電流
    Ear:重復雪崩擊穿能量
    Eas:單次脈沖雪崩擊穿能量
    BVdss:DS擊穿電壓
    Idss:飽和DS電流,uA級的電流
    Igss:GS驅動電流,nA級的電流.
    gfs:跨導
    Qg:G總充電電量
    Qgs:GS充電電量
    Qgd:GD充電電量
    Td(on):通延遲時間,從有輸入電壓上升到10%開始到Vds下降到其幅值90%的時間
    Tr:上升時間,輸出電壓VDS從90%下降到其幅值10%的時間
    Td(off):關斷延遲時間,輸入電壓下降到90%開始到VDS上升到其關斷電壓時10%的時間
    Tf:下降時間,輸出電壓VDS從10%上升到其幅值90%的時間。
    Ciss:輸入電容,Ciss=Cgd+Cgs.
    Coss:輸出電容,Coss=Cds+Cgd.
    Crss:反向傳輸電容,Crss=Cgc.
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