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用于熱插拔-軟啟動(dòng)與電子熔斷器應(yīng)用的MOSFET
  • 發(fā)布時(shí)間:2020-04-29 17:01:34
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用于熱插拔-軟啟動(dòng)與電子熔斷器應(yīng)用的MOSFET
熱插拔技術(shù)是服務(wù)器、交換機(jī)中的基礎(chǔ)技術(shù),可實(shí)現(xiàn)在在線情況下更換故障硬件、添加新設(shè)備,極大地方便了服務(wù)器系統(tǒng)的維護(hù)。目前,服務(wù)器中可熱插拔的包括硬盤、CPU、內(nèi)存、電源、風(fēng)扇、PCI適配器、網(wǎng)卡等。
熱插拔技術(shù)的原理,在于控制瞬間高電流,將其降低到某一合理水平。實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的方法很多,最簡(jiǎn)單的是通過正溫度系數(shù)熱敏電阻(PTC)穩(wěn)定瞬間電流,但是這種方法反應(yīng)速度慢,長(zhǎng)時(shí)間使用的話還會(huì)影響使用壽命。此外,通過MOS管電流檢測(cè)電阻,加上一些簡(jiǎn)單的電阻、電容、延遲線路也能實(shí)現(xiàn),而且成本低,適用于低端用途。
MOSFET
線性模式MOSFET:PSMN3R7-100BSE
目前,最好的方法是是采用專門的熱插拔芯片,這些MOSFET針對(duì)安全操作區(qū)(SOA)進(jìn)行了優(yōu)化,導(dǎo)通電阻RDS(on)較低,功耗特別小。例如,Nexperia公司的PSMN3R7-100BSE就是一款非常適用于熱插拔、軟啟動(dòng)和電子熔斷器應(yīng)用的線性模式MOSFET。
PSMN3R7-100BSE是NextPower Live系列的最新產(chǎn)品,其優(yōu)越的安全操作區(qū)(SOA)和較低RDS(on)特性非常適合熱插拔應(yīng)用。通過有效處理交換服務(wù)器主機(jī)板或其他插拔式系統(tǒng)中可能出現(xiàn)的高浪涌電流,MOSFET可有效確保順利啟動(dòng)處理器板。
MOSFET
在標(biāo)準(zhǔn)MOSFET技術(shù)基礎(chǔ)上,PSMN3R7-100BSE MOSFET的安全操作區(qū)更大,線性性能也提高了4倍,結(jié)溫為175攝氏度,最大導(dǎo)通電阻RDS(on)僅為3.95m?(典型值為3.36m?)——比以前的器件內(nèi)阻約低18%。
外形上,N溝道PSMN3R7-100BSE MOSFET采用D2PAK封裝,與所有其他制造商的熱交換控制器完全兼容,可為服務(wù)器和通信基礎(chǔ)設(shè)施公司提高功率水平和能源效率。
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